2023년 여름, 김박사넷에서 주관하는 포토 공정 실습 과정에 참여했다.
반도체 공정 중 photo 공정에 대해서 공부하고 주어진 마스크로 직접 UV를 Exposure 하며 미세 공정에 대해 처음 공부하는 계기가 되었다.
PR은 UV와 만나 화학 구조가 변하게 되는데, Positive PR의 경우 UV와 만나면 화학적 결합이 끊어져 Develope 할 때 UV와 만난 부분이 제거된다. Nevgative PR의 경우 UV와 만나면 결합력이 강해져 Develope 할 때 UV를 받지 않은 부분이 제거된다.
PR은 Wafer 위에서 마스크의 패턴으로 굳어져 선택적 제거를 할 수 있다.
이때 변수는 PR의 UV Exposure time과 PR-mask gap이다.
PR-mask 사이 간격이 있으면 빛의 회절성에 의해 더 넓게 퍼지게 된다.
따라서 PR-mask 사이 간격은 최대로 줄여야 한다.
또한 UV Exposure time을 너무 많이 가져간다면, PR이 더 많이 빛을 받아 의도하지 않은 추가적인 영역에도 Expose 될 것이다.
이번 실습은 마스크의 패턴을 얼마나 정확하게 찍어 낼 수 있는지, 변수를 조절하면 어떻게 변하는지 확인했다.
실습 내용은 다음 페이지에서 다루었다.
참고문헌
https://slideplayer.com/slide/4538265/
Photolithography PEOPLE Program July 8, Computer chips are made using photolithography Instead of drawing with a sharp tip, it u
Apple II An early personal computer ENIAC (Electronic Numerical Integrator and Computer) First general-purpose electronic computer Apple MacBook Air Modern laptop computer weighing only 3 pounds! 65 years… and many advances in photolithography! How is Li
slideplayer.com
https://wwwcourses.sens.buffalo.edu/ce435/Polymers/Photoresist.html
Polymeric materials have found use in the electronics industry in both manufacturing process used to generate today뭩 intergra
The Photoresist Process and it뭩 Application to the Semiconductor Industry Introduction Photoresist materials are polymer resins that contain photoactive (light sensitive) compound (PAC) and an alkaline-soluble resin.1 Present-day photoresist and photoetc
wwwcourses.sens.buffalo.edu
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